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小桧山 守*; 高村 三郎
Phys.Status Solidi A, 90, p.253 - 276, 1985/00
被引用回数:7 パーセンタイル:44.9(Materials Science, Multidisciplinary)極低温で各種銅、銀希薄合金を高速中性子照射し、内部摩擦および電気抵抗測定を行い、各温度に焼鈍したことによる内部摩擦スペクトルの成長消滅を調べ、電気抵抗の回復挙動と比較を行った。格子間原子-溶質原子複合体は2~3の成分から成り、それそれの移動温度を知ることが出来た。各合金の複合体の特性について議論した。
高村 三郎; 奥田 重雄
Radiat.Eff., 17(3), p.151 - 158, 1973/03
抄録なし
鎌田 耕治; 吉沢 勲*; 楢本 洋
Phys.Status Solidi A, 18(1), p.377 - 386, 1973/01
被引用回数:7Cu,Cu-Ni,Cu-Si,Cu-Ge単結晶の電子線照射硬化を78Kと300Kで測定した。78K照射ではFrankの理論をもとにして格子間原子のtetragonalityに起因する硬化現象として結論された。300K照射では、導入された欠陥当りの非常に大きな硬化が観測された。この硬化機構についての可能性としてはinterstitial clusterによるものが考えられる。上述の結果から、78Kで照射後、格子間原子単独ないしは溶質原子と複合した形で存在する格子間原子が温度が高くなると動き、300K照射の後ではそれらがclusterを形成する事が理解された。降伏応力の温度依存性の実験から、100K以下にある「anomaly」に照射が影響を与える事もわかった。